半導体事業場一部工程で、ベンゼンなど発がん性物質が極微量副産物として発生 | 2012-02-06 |
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半導体事業場一部工程で、ベンゼンなど発がん性物質が極微量副産物として発生 -産業安全穂研究院、精密作業環境研究(’09~’11年)の結果発表-
韓国産業安全保健公団の産業安全保健研究院は、2008年半導体産業労働者の白血病の危険度を調べるための集団疫学調査(注1)の後措置の一環として2009年から3年間実施した「半導体製造事業場精密作業環境評価研究」結果を発表した。 注1 集団疫学調査結果(2008.12.29発表) 半導体工場で仕事をする女性労働者がリンパ腺造血器系統の癌である「非ホジキンリンパ腫」にかかる危険が一般人に比べて、2倍以上高く、特に組立工程生産職女性の危険度は5倍以上高い(女性全体:2.67倍、生産職:2.66倍、組立工程生産職:5.16倍)
今回の研究は、最初に白血病が発生した事業場及び類似工程がある事業場(3社)のウェハー加工ライン及び半導体組み立てライン工場を対象として白血病誘発因子 であるベンゼン、ホルムアルデヒド、電離放射線などの露出特性を評価したものである。
研究結果によると、ベンゼンはウェハー加工ライン と半導体組み立てラインの一部工程で副産物として発生する(加工ライン: 不検出~0.00038ppm、組み立てライン: 0.00010~0.00990ppm)と確認された。 露出基準の1ppmより低く、人体に直接の影響を及ぼす水準ではないが、発ガン性物質という点で管理が必要だとした。
電離放射線は、ウェハー加工ラインと半導体組み立てラインで測定(0.011~0.015m㏜/yr)されたが、個人露出線量限度(放射線作業従事者50m㏜/yr)よりは低い水準である。
また、白血病誘発因子ではないが、肺ガン誘発因子といわれるヒ素は、ウェハー加工ラインのイオン注入工程 (インプラント)の副産物として発生し、露出基準の0.01mg/㎥を超過(0.001~0.061mg/㎥)する例も確認された。特にイオン注入工程維持補修作業を遂行する協力業者 の労働者は露出危険が高いため、これに対する対策が必要だと明らかにした。
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